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NTHD2110TT1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
NTHD2110TT1G |
| 功能描述 | Power MOSFET -12 V, -6.4 A, Single P-Channel TVS, ChipFET??Package |
| 文件大小 |
94.85 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-15 20:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NTHD2110TT1G
- 功能描述：
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
1323 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
1206-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
57218 |
一級(jí)代理原裝正品現(xiàn)貨期貨均可訂購(gòu) |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
23+ |
39639 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
45000 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2022 |
1206-8 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
SOT23-8 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ONS |
2023+ |
SOT283 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ONS |
23+ |
NTHD3100CT1 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價(jià) |
