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NTJD1155LT1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift正納電子一部

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  • 廠家型號(hào)：

    NTJD1155LT1G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    32078

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-28 10:45:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NTJD1155LT1G品牌：ON/安森美

10年以上分銷(xiāo)商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè)

  • 芯片型號(hào)：

    NTJD1155LT1G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    5 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    114.47 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET High Side Load Switch with Level??hift, P??hannel SC??8

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTJD1155LT1G

  • 功能描述：

    MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī)：

    15986777949

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號(hào)新欣大廈B座318

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