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NTJD5121NT2G_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET NFET SC88D 60V 295mA匯萊威二部

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  • 廠家型號(hào)：

    NTJD5121NT2G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VBSEMI/微碧半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    13500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SC70

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2024

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-30 16:18:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NTJD5121NT2G品牌：VBsemi/臺(tái)灣微碧

一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商

  • 芯片型號(hào)：

    NTJD5121NT2G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    945.34 kb

  • 資料說明：

    Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTJD5121NT2G

  • 功能描述：

    MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    司先生

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82785377

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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