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NTLGD3502NT2G

Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N??hannel, DFN6 3x3 mm Package

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NTLGD3502NT2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NTLGD3502NT2G供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 10:12:00