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NTLJD3119CTBG中文資料安森美半導體數據手冊PDF規(guī)格書

NTLJD3119CTBG
廠商型號

NTLJD3119CTBG

功能描述

Power MOSFET

文件大小

178.14 Kbytes

頁面數量

10

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:21:00

產品屬性

  • 型號:

    NTLJD3119CTBG

  • 功能描述:

    MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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