NTLJF3117PT1G_PULSECORE/安森美_MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM納艾斯

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    NTLJF3117PT1G

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    PULSECORE/安森美

  • 庫存數(shù)量:

    80000

  • 產(chǎn)品封裝:

    WDFN-6

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2020+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-18 22:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):NTLJF3117PT1G品牌:ON

只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增

  • 芯片型號(hào):

    NTLJF3117PT1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    8 頁

  • 文件大小:

    91.88 kb

  • 資料說明:

    Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.1 A, P??hannel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, uCool Package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    NTLJF3117PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    肖小姐

  • 手機(jī):

    13117514091

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真:

    0755-82707495

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格大廈5803A