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NTLJS2103PTAG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTLJS2103PTAG
廠商型號

NTLJS2103PTAG

功能描述

Power MOSFET

文件大小

147.61 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 18:34:00

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NTLJS2103PTAG規(guī)格書詳情

MOSFET – Power, Single, P-Channel, μCool, WDFN, 2X2 mm -12 V, -7.7 A

Features

? Recommended Replacement Device ? NTLUS3A40P

? WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction

? 2x2 mm Footprint Same as SC?88 Package

? Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package

? 1.2 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate Drive

? Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

? High Side Load Switch

? DC?DC Converters (Buck and Boost Circuits)

? Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment

? Li?Ion Battery Linear Mode Charging

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTLJS2103PTAG

  • 功能描述:

    MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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