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NTLUD3A260PZTAG_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M恒凱威科技

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    8080

  • 產(chǎn)品封裝：

    UDFN-6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-9 16:38:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：NTLUD3A260PZTAG品牌：ON/安森美

只做原裝,質(zhì)量保證

  • 芯片型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    112.67 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET ??0 V, ??.1 A,Cool Dual P??hannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市恒凱威科技開(kāi)發(fā)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18928498787

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-22318162/0755-22207335

  • 傳真：

    0755-22318162

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)101棟610A室

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