首頁>NTLUD3A260PZTAG>詳情

NTLUD3A260PZTAG__IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M納立科技

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    1983

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號：

    三年內(nèi)

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-6 16:44:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NTLUD3A260PZTAG

只做原裝正品

  • 芯片型號：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    112.67 kb

  • 資料說明：

    Power MOSFET ??0 V, ??.1 A,Cool Dual P??hannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NTLUD3A260PZTAG

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納立科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機：

    13590203865

  • 詢價：
  • 電話：

    13590203865/0755-88606580

  • 傳真：

    0755-88606580

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北振興路賽格科技園四棟中12樓A4-2M室

相近型號