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NTMD3P03R2G中文資料杜因特?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTMD3P03R2G
廠商型號(hào)

NTMD3P03R2G

功能描述

Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.33481 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DOINGTER杜因特

中文名稱

深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-10 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NTMD3P03R2G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 3.05A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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