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NTMD6N04R2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R華斯頓科技

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  • 廠家型號(hào)：

    NTMD6N04R2G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON-SEMI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    31328

  • 產(chǎn)品封裝：

    New

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-26 16:50:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NTMD6N04R2G品牌：ON-SEMI

絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    NTMD6N04R2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    5 頁(yè)

  • 文件大小：

    105.45 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述：

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華斯頓科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生-余先生-夏小姐-張小姐

  • 手機(jī)：

    13925279453

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83777708/83777607/82799993

  • 傳真：

    0755-83355559

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北深紡大廈C座西7樓/市場(chǎng)部:華強(qiáng)北新亞洲電子市場(chǎng)3B047展銷柜

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