NTMFS4C09NBT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:NTMFS4C09NBT1G品牌:ON

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NTMFS4C09NBT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝QFN/的NTMFS4C09NBT1G晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號:

    NTMFS4C09NBT1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NTMFS4C09NBT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 功率耗散(最大值):

    760mW(Ta)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 描述:

    MOSFET N-CH 30V SO8FL

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市誠利順電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    朱麗梅

  • 手機(jī):

    13510692516

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83015149/83204399

  • 傳真:

    0755-83015146

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北東方時(shí)代廣場B1609