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NTMFS4C09NBT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：NTMFS4C09NBT1G品牌：ON/安森美

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NTMFS4C09NBT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝QFN/的NTMFS4C09NBT1G晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號：

    NTMFS4C09NBT1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NTMFS4C09NBT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 功率耗散（最大值）：

    760mW（Ta）

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 描述：

    MOSFET N-CH 30V SO8FL

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    17302670410

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17e

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