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NTMFS5113PLT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NTMFS5113PLT1G
廠商型號(hào)

NTMFS5113PLT1G

參數(shù)屬性

NTMFS5113PLT1G 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

功能描述

Power MOSFET ??0 V, 14 m, ??4 A, Single P??hannel
NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

絲印標(biāo)識(shí)

V5113L

封裝外殼

DFN5

文件大小

187.85 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 16:12:00

NTMFS5113PLT1G規(guī)格書詳情

NTMFS5113PLT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NTMFS5113PLT1G晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NTMFS5113PLT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    10A(Ta),64A(Tc)

  • 描述:

    NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
DFN-5(5
8850
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
詢價(jià)
ON
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ON Semiconductor
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