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NTX30N06G	文件：1.32103 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P30N06LE	文件：1.31334 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P30N06TA	文件：1.3133 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RFP30N06LE	文件：1.32291 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RFP30N06LE	文件：80.85 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP30N06LE	文件：91.17 Kbytes Page：6 Pages	30A,60V,ESDRated,AvalancheRated,LogicLevelN-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs Description TheRFP30N06LE,RF1S30N06LEandRF1S30N06LESMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theywere	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
RFP30N06LE	文件：188.99 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RLD30N06	文件：521.409 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheRLD30N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON), lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. Application Lithiumbatteryprotection Wirele	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SFD30N06	文件：1.01382 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
SFD30N06	文件：1.05013 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFD30N06	文件：897.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFP30N06	文件：1.31327 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFP30N06	文件：947.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingSemiWell’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,havealowgatechargewithsuperiorswitchingperformance,andruggedavalanchecharacteristics.ThisP	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
STP30N06	文件：1.31583 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STP30N06	文件：206.32 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.045? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP30N06FI	文件：206.32 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.045? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
SW30N06	文件：435.59 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW30N06U	文件：719.42 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementmodeTO-251/TO-252MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD30N06	文件：435.59 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD30N06	文件：898.94 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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