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NTZD3155CT5G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTZD3155CT5G
廠商型號(hào)

NTZD3155CT5G

功能描述

Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package.

文件大小

116.63 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-16 17:08:00

NTZD3155CT5G規(guī)格書詳情

MOSFET – Small Signal, Complementary with ESD Protection, SOT-563 20 V, 540 mA / -430 mA

Features

? Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance

? High Efficiency System Performance

? Low Threshold Voltage

? ESD Protected Gate

? Small Footprint 1.6 x 1.6 mm

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

? DC?DC Conversion Circuits

? Load/Power Switching with Level Shift

? Single or Dual Cell Li?Ion Battery Operated Systems

? High Speed Circuits

? Cell Phones, MP3s, Digital Cameras, and PDAs

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NTZD3155CT5G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
VBSEMI/臺(tái)灣微碧
23+
SOT-563
20000
原裝正品 歡迎咨詢
詢價(jià)
ONSEMI
22+
SMD
518000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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ON
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SOT-563
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ON(安森美)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
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ON(安森美)
2021/2022+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)
ON Semiconductor
23+
SOT563
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)