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NUS5530MNR2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-特殊用途規(guī)格書PDF中文資料

NUS5530MNR2G
廠商型號(hào)

NUS5530MNR2G

參數(shù)屬性

NUS5530MNR2G 封裝/外殼為8-VDFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-特殊用途;NUS5530MNR2G應(yīng)用范圍:通用;產(chǎn)品描述:IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

功能描述

Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

封裝外殼

8-VDFN 裸露焊盤

文件大小

162.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 10:01:00

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NUS5530MNR2G規(guī)格書詳情

NUS5530MNR2G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-特殊用途。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NUS5530MNR2G晶體管 - 特殊用途特殊用途晶體管系列產(chǎn)品屬于分立晶體管或晶體管陣列,帶有或不帶有附加的集成無(wú)源元件和內(nèi)部連接,可用于或經(jīng)調(diào)整用于某些狹窄或特定的用途,例如電流鏡、平衡串聯(lián)電容器組或負(fù)載切換。

Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor

This integrated device represents a new level of safety and board?space reduction by combining the 20 V P?Channel FET with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics.

Features

? Low RDS(on) (MOSFET) and Low VCE(sat) (Transistor)

? Higher Efficiency Extending Battery Life

? Logic Level Gate Drive (MOSFET)

? Performance DFN Package

? This is a Pb?Free Device

Applications

? Power Management in Portable and Battery?Powered Products; i.e.,

Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NUS5530MNR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 特殊用途

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN,P 通道

  • 應(yīng)用:

    通用

  • 電壓 - 額定:

    35V PNP,20V P 通道

  • 額定電流(安培):

    2A PNP,3.9A P 通道

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN(3.3x3.3)

  • 描述:

    IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
1923+
QFN
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原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存專業(yè)工廠研究所配單供貨
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