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NV24C512MUW3VTBG_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：NV24C512MUW3VTBG品牌：onsemi

資料說明：IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN

NV24C512MUW3VTBG是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-UFDFN 裸露焊盤的NV24C512MUW3VTBG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    nv24c512muw3vtbg

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NV24C512MUW3VTBG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    EEPROM

  • 技術(shù)：

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量：

    512Kb（64K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    I2C

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    5ms

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-UFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-UDFN（2x3）

  • 描述：

    IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi
2年內(nèi)批號
8-UDFN(2x3)
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