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NV25160DWHFT3G集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

NV25160DWHFT3G
廠商型號(hào)

NV25160DWHFT3G

參數(shù)屬性

NV25160DWHFT3G 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC

功能描述

EEPROM Serial 8/16/32/64-Kb SPI
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

278.76 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-12 16:42:00

NV25160DWHFT3G規(guī)格書詳情

NV25160DWHFT3G屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NV25160DWHFT3G存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NV25160DWHFT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    SPI

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    4ms

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
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