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NV25512MUW3VTBG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NV25512MUW3VTBG |
| 參數(shù)屬性 | NV25512MUW3VTBG 封裝/外殼為8-UFDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC EEPROM 512KBIT SPI 8UDFN |
| 功能描述 | EEPROM Serial 512-Kb SPI |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | UDFN-8 / 8-UFDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
210.41 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-9 8:24:00 |
NV25512MUW3VTBG規(guī)格書詳情
NV25512MUW3VTBG屬于集成電路（IC）的存儲器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NV25512MUW3VTBG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NV25512MUW3VTBG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 系列：
Automotive, AEC-Q100
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
EEPROM
- 技術(shù)：
EEPROM
- 存儲容量：
512Kb（64K x 8）
- 存儲器接口：
SPI
- 寫周期時間 - 字，頁：
5ms
- 電壓 - 供電：
1.8V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-UFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-UDFN（2x3）
- 描述：
IC EEPROM 512KBIT SPI 8UDFN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
DFN8(2x3) |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
DFN8EP(2x3) |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
Onsemi |
兩年內(nèi) |
NA |
425 |
實單價格可談 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ON |
21+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
ONN |
2324+ |
2716 |
原裝正品,超低價出售 |
詢價 | |||
ON |
22 |
TSSOP-8 |
6000 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
UDFN-8 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價 | ||
onsemi |
2年內(nèi)批號 |
8-UDFN(2x3) |
4800 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價 |
