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NVBG022N120M3S_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NVBG022N120M3S_V01
廠商型號(hào)

NVBG022N120M3S_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 22mohm, 1200V, M3, D2PAK-7L

文件大小

305.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-10 20:00:00

NVBG022N120M3S_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 148 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 148 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are RoHS Compliant

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

? Automotive Traction Inverter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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