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NVD5806N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NVD5806N

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5806NT4G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

P5806NVG

DualN-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

P5806NVG

N-&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

PT5806

18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

PT5806

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器

PT5806A

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器

RO5806NF

AllNMOmountantennaslistedinthiscatalogsectionrequiretheNMOHF-style

pulse

Pulse A Technitrol Company

SEN-5806

HERMETICPOWERSCHOTTKYRECTIFIER

SENSITRON

SENSITRON SEMICONDUCTOR

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NVD5806N

  • 功能描述：

    MOSFET POWER MOSFET 40V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
 詢價
ON/安森美
22+
TO-252
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
ON/安森美
23+
TO-252
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
ON
TO-252
90000
公司集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-
 詢價
ON/安森美
22+
TO-252
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
ON/安森美
22+
TO-252
100517
詢價
ON
24+
TO-252
37650
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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ON
23+
TO252
4197
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
更多NVD5806N供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 10:06:00

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