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NVD5807N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NVD5807N

Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N??hannel, DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVD5807NT4G

Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N??hannel, DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

PAFE5807ZCF

FullyIntegrated,8-ChannelUltrasoundAnalogFrontEndwithPassiveCWMixer,1.05nV/rtHz,12-Bit,80MSPS,117mW/CH

TI1Texas Instruments

德州儀器

PGA5807

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments

德州儀器

PGA5807A

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments

德州儀器

PGA5807A

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments

德州儀器

PGA5807ARGCR

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments

德州儀器

PGA5807ARGCR

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments

德州儀器

PGA5807ARGCT

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments

德州儀器

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NVD5807N

  • 功能描述：

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
TO-252
90000
公司集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-
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TO-252
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1983
只做原裝正品
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2020+
DPAK
80000
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SOT252
11520
特價全新原裝公司現(xiàn)貨
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進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!!
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ON/安森美
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TO-252
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更多NVD5807N供應商 更新時間2025-1-20 17:08:00

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