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NVD5863NLT4G中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NVD5863NLT4G
廠商型號(hào)

NVD5863NLT4G

功能描述

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.63693 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 14:36:00

NVD5863NLT4G規(guī)格書詳情

Features

? VDS= 60 V, ID= 80 A

RDS(ON) < 6 mΩ @ VGS =10V

RDS(ON) < 7mΩ @ VGS = 4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NVD5863NLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
14+
TO-252
160
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
ON/安森美
23+
DPAK-4
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON
2020+
TO-252
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
ON/安森美
2024
TO-252
505348
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
詢價(jià)
ON(安森美)
22+
NA
8000
原廠原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
21+
TO-252-2(DPAK)
8080
公司只做原裝,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
詢價(jià)
ON
2023+
TO-252
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
詢價(jià)
ON/安森美
2023
5500
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
詢價(jià)
ON
TO-252
99398
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)