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NVD5867NLT4G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5867NLT4G

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

NTD5867NLT4G

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

NTD5867NLT4G

60VN-ChannelMOSFET

Features ?LowRDS(on) ?HighCurrentCapability ? VDS(V)=60V ID=20A(VGS=10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

NTD5867NLT4G

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD5867NLT4G

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

NTD5867NLT4G

N-ChannelPowerMOSFET60V,20A,39m

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SVD5867NLT4G

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NVD5867NLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON/安森美
23+
TO-252
20524
原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存,1小時(shí)內(nèi)發(fā)貨
詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-252
144
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價(jià)
ON
23+
TO252
10000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
ON/安森美
2038+
TO-252
8000
原裝正品假一罰十
詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO-252
20000
原裝正品
詢價(jià)
ON
19+
5-7天分貨
20000
公司渠道現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-252
31316
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
詢價(jià)
ON
23+
TO252
12000
原裝進(jìn)口、正品保障、合作持久
詢價(jià)
ON/安森美
19+
TO-252
5000
全新原裝
詢價(jià)
ON/安森美
2024
TO-252
505348
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
詢價(jià)
更多NVD5867NLT4G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 23:00:00