NVD5890N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
NVD5890N |
參數(shù)屬性 | NVD5890N 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A |
功能描述 | Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK |
文件大小 |
116.93 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-25 17:24:00 |
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NVD5890N規(guī)格書詳情
NVD5890N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD5890N晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NVD5890NT4G-VF01
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 描述:
NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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