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NVH4L020N120SC1_V01中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVH4L020N120SC1_V01
廠商型號

NVH4L020N120SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

文件大小

363.19 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 9:00:00

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NVH4L020N120SC1_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 20 m

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

? Automotive Traction Inverter

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