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NTH4L025N065SC1

SiliconCarbideSiCMOSFET-19mohm,650V,M2,TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) ?LowCapacitance(Coss=278pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelin

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多NVH4L025N065SC1供應商 更新時間2024-11-28 16:20:00

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