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NVMFD5C462N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

NVMFD5C462N
廠商型號

NVMFD5C462N

參數(shù)屬性

NVMFD5C462N 包裝為卷帶(TR)卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

功能描述

MOSFET ??Power, Dual N-Channel 40 V, 5.4 m, 70 A
40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

文件大小

231.09 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 15:10:00

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NVMFD5C462N規(guī)格書詳情

NVMFD5C462N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVMFD5C462N晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

Features

? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? NVMFD5C462NWF ? Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NVMFD5C462NWFT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)卷帶(TR)

  • 描述:

    40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
22+
DFN
9000
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