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NVMFD5C668NL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NVMFD5C668NL |
參數(shù)屬性 | NVMFD5C668NL 包裝為卷帶(TR)卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:T6 60V S08FL DUAL |
功能描述 | MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 6.5 m, 68 A |
文件大小 |
230.69 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-20 8:14:00 |
NVMFD5C668NL規(guī)格書詳情
NVMFD5C668NL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVMFD5C668NL晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。
Features
? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
? NVMFD5C668NLWF ? Wettable Flank Option for Enhanced Optical
Inspection
? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NVMFD5C668NLWFT1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)卷帶(TR)
- 描述:
T6 60V S08FL DUAL
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
DFN8(5x6) |
7350 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
NA |
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ONsemi |
2206+ |
DFN8 |
2112 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA |
5000 |
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ONSEMI |
22+ |
SMD |
49500 |
詢價 | |||
ONsemi |
2023+ |
DFN8 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
3000 |
可訂貨 請確認(rèn) |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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三年內(nèi) |
1983 |
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ON/安森美 |
DFN85x6 |
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