首頁(yè)>NVMFS5830NLT1G>規(guī)格書詳情
NVMFS5830NLT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NVMFS5830NLT1G |
| 參數(shù)屬性 | NVMFS5830NLT1G 包裝為剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL |
| 功能描述 | Power MOSFET 40 V, 2.3 m, 185 A, Single N.Channel |
| 文件大小 |
111.95 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-6 20:00:00 |
| 人工找貨 | NVMFS5830NLT1G價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NVMFS5830NLT1G規(guī)格書詳情
NVMFS5830NLT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVMFS5830NLT1G晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NVMFS5830NLT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
剪切帶（CT）
- 描述：
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SO-8FL |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
22+ |
8PowerTDFN |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ON |
14+ |
QFN |
100 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
8PowerTDFN |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
DFN8 |
6886 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
DFN8 |
6886 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
DFN8 |
9000 |
原裝正品,支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
DFN8 |
3785 |
絕對(duì)原裝公司現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
DFN8 |
16316 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) |
