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NVMFWS1D1N04XMT1G

Marking:1D1N4W;Package:DFNW5;MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications ?MotorDrive ?B

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMFS1D1N04XMT1G

MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.05m,233A

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrive ?BatteryProtection ?ORing

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NVMFWS1D1N04XMT1G供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 13:37:00