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NVMFWS1D3N04XMT1G

Marking:1D3N4W;Package:DFN5;MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.3 m, 195 A

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrive ?Ba

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTMFS1D3N04XMT1G

MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.3m,195A

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrive ?BatteryProtection ?ORing

ONSEMION Semiconductor

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更多NVMFWS1D3N04XMT1G供應商 更新時間2025-5-20 14:01:00