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NVMFWS2D3N04XMT1G

Marking:2D3N4W;Package:DFN5;MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 2.35 m, 121 A

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications ?MotorDrive ?B

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NVMFWS2D3N04XMT1G供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 8:14:00