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NVMYS9D3N06CLTWG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NVMYS9D3N06CLTWG
廠商型號(hào)

NVMYS9D3N06CLTWG

功能描述

MOSFET – Power, Single N-Channel 60 V, 9.2 m, 50 A

文件大小

339.24 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-4 17:53:00

NVMYS9D3N06CLTWG規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? LFPAK4 Package, Industry Standard

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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