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OPD2020	文件：156.14 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINPhotoDiode HIGHSPEEDSENSITIVITY Structure 1.1ChipSize:2.00mmX2.00mm 1.2Chipthickness:400±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconOxide 1.5BondingPadSize -Anode(top):170umX170um 1.6ActiveArea:1.72mmX1.72mm	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
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