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NVTFS9D6P04M8L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

NVTFS9D6P04M8L
廠商型號

NVTFS9D6P04M8L
參數(shù)屬性

NVTFS9D6P04M8L 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
功能描述

MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 9.5 m, -64 A
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
文件大小

226.01 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-21 23:00:00

NVTFS9D6P04M8L規(guī)格書詳情

NVTFS9D6P04M8L屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVTFS9D6P04M8L晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low Capacitance to Minimize Driver Losses

? NVTFWS9D6P04M8L ? Wettable Flanks Product

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR?Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NVTFS9D6P04M8L

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    13A（Ta），64A（Tc）

  • 描述：

    MOSFET P-CH 20V 8-SOIC

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