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NVXK2KR80WDT中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NVXK2KR80WDT
廠商型號(hào)

NVXK2KR80WDT
功能描述

SiC Power MOSFET Module 1200 V, 80 m, 20 A Vienna Rectifier Power Module
文件大小

1.1448 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 9:13:00
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NVXK2KR80WDT規(guī)格書(shū)詳情

Features

x DIP Silicon Carbide Vienna Rectifier Power Module for On?board

Charger (OBC) for xEV Applications

x Creepage and Clearance per IEC60664?1, IEC 60950?1

x Compact Design for Low Total Module Resistance

x Module Serialization for Full Traceability

x Lead Free, ROHS and UL94V?0 Compliant

x Automotive Qualified per AEC?Q101 and AQG324

Typical Applications

x Vienna PFC for On?Board Charger in xEV Applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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