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1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION
InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
DESCRIPTION
The NX5315EH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured
Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. This device is
designed for application up to 1.25 Gb/s.
APPLICATION
? FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system
FEATURES
? Optical output power Po = 13.0 mW
? Low threshold current lth = 6 mA
? Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A
? Wide operating temperature range TC = ?40 to +85°C
? InGaAs monitor PIN-PD
? CAN package φ 5.6 mm
? Focal point 6.35 mm
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NX5315EH
- 制造商：
CEL
- 制造商全稱：
CEL
- 功能描述：
1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
1945/2025 |
16 |
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詢價(jià) | |||
DIODES/美臺 |
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NA |
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詢價(jià) | ||
NEC |
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DIODES |
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SMD |
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CEL |
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NEC |
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DIP |
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NEC |
23+ |
原裝正品現(xiàn)貨 |
10000 |
DIP |
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DIODES(美臺) |
21+ |
- |
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詢價(jià) |
