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NX5323EH中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NX5323EH
廠商型號

NX5323EH

功能描述

1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

文件大小

89.4 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-17 18:43:00

NX5323EH規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NX5323EH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. This device is designed for application up to 1.25 Gb/s.

FEATURES

? Optical output power Po = 13.0 mW

? Low threshold current lth = 7 mA

? Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A

? Wide operating temperature range TC = ?40 to +85°C

? InGaAs monitor PIN-PD

? CAN package φ 5.6 mm

? Focal point 6.35 mm

APPLICATION

? FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NX5323EH

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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