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NX6352GP33中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NX6352GP33
廠商型號(hào)

NX6352GP33

功能描述

LASER DIODE

文件大小

853.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 11:31:00

NX6352GP33規(guī)格書詳情

1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

FOR 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU APPLICATION

DESCRIPTION

The NX6352GP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple

Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser

diode with InGaAs monitor PIN-PD.

APPLICATIONS

? 9.8 Gbps CPRI

? 10G E-PON ONU

FEATURES

? Optical output power PO = 8.5 mW

? Low threshold current Ith = 7 mA

? Differential efficiency ηd = 0.35 W/A

? Wide operating temperature range TC = ?40 to +85°C

? InGaAs monitor PIN-PD

? CAN package φ 5.6 mm

? Focal point 7.5 mm

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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