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NXH100B120H3Q0STG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠(chǎng)料號(hào)：NXH100B120H3Q0STG品牌：onsemi(安森美)

NXH100B120H3Q0STG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝Q0BOOST ? Case 180AJ/模塊的NXH100B120H3Q0STG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    NXH100B120H3Q0STG

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大小：

    1502.6 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual Boost Power Module

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NXH100B120H3Q0STG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐/柯先生/陳先生

  • 手機(jī)：

    13510737511/13764028118

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83776888

  • 傳真：

    0755-83211476

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富街道華強(qiáng)北都會(huì)B座12X ,上海黃浦北京東路668號(hào)科技京城西樓

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