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NXH40B120MNQ0SNG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    NXH40B120MNQ0SNG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Onsemi

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-25 8:00:00

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原廠料號(hào)：NXH40B120MNQ0SNG品牌：Onsemi

全新、原裝

NXH40B120MNQ0SNG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商O(píng)nsemi/onsemi生產(chǎn)封裝模塊的NXH40B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    NXH40B120MNQ0SNG

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    645.25 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NXH40B120MNQ0SNG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    雙路升壓斬波器

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）

  • 描述：

    80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳萬(wàn)勝威節(jié)能科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    Tony

  • 手機(jī)：

    18923460326

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-27332795

  • 傳真：

    0755-22140199

  • 地址：

    寶安區(qū)福永金域豪庭12棟2座3樓

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