訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
NXH40B120MNQ1SNG
- 產(chǎn)品分類:
芯片
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫存數(shù)量:
22
- 產(chǎn)品封裝:
瀹炲崟璇風(fēng)數(shù)璇濊仈緋?189234603
- 生產(chǎn)批號(hào):
- 庫存類型:
- 更新時(shí)間:
2024-11-18 8:00:00
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1+ |
芯片
22
瀹炲崟璇風(fēng)數(shù)璇濊仈緋?189234603
2024-11-18 8:00:00
原廠料號(hào):NXH40B120MNQ1SNG品牌:Onsemi/瀹夋.緹?20000
NXH40B120MNQ1SNG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Onsemi/瀹夋.緹?20000/onsemi生產(chǎn)封裝瀹炲崟璇風(fēng)數(shù)璇濊仈緋?189234603/模塊的NXH40B120MNQ1SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
NXH40B120MNQ1SNG
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
ON Semiconductor
安森美半導(dǎo)體公司
12 頁
923.13 kb
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package
描述
NXH40B120MNQ1SNG
onsemi
托盤
三,雙 - 共源
標(biāo)準(zhǔn)
是
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安裝
模塊
32-PIM(71x37.4)
30KW Q1BOOST FULL SIC
深圳萬勝威節(jié)能科技有限公司
Tony
18923460326
0755-27332795
0755-22140199
寶安區(qū)福永金域豪庭12棟2座3樓