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NXV65HR82DS1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動(dòng)器模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NXV65HR82DS1品牌：onsemi

資料說明：AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG

NXV65HR82DS1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝16-SSIP ??? ??，?? ??的NXV65HR82DS1功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

  • 芯片型號(hào)：

    nxv65hr82ds1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NXV65HR82DS1

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    托盤

  • 類型：

    MOSFET

  • 配置：

    H 橋

  • 電壓 - 隔離：

    5000Vrms

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    16-SSIP ??? ??，?? ??

  • 描述：

    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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