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NXV65HR82DS2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NXV65HR82DS2 |
參數(shù)屬性 | NXV65HR82DS2 封裝/外殼為16-SSIP ??? ??,?? ??;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊;產(chǎn)品描述:AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG |
功能描述 | H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter |
封裝外殼 | 16-SSIP ??? ??,?? ?? |
文件大小 |
734.6 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-2 23:00:00 |
NXV65HR82DS2規(guī)格書詳情
NXV65HR82DS2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXV65HR82DS2功率驅(qū)動器模塊功率驅(qū)動器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NXV65HR82DS2
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 類型:
MOSFET
- 配置:
H 橋
- 電壓 - 隔離:
5000Vrms
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
16-SSIP ??? ??,?? ??
- 描述:
AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
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