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PCD3341A	文件：1.89636 Mbytes Page：28 Pages	8-Bittelecommicrocontrollers INTRODUCTION ThisdatasheetdescribesthesharedpropertiesofthePCD33XXAFamilyofmicrocontrollersanditsquicklygrowingnumberofderivtivemicrocontrollers.Foraparticularmicrocontroller,thisdatasheetshouldbereadinconjunctionwiththeindividualdatasheetofthespecificdevi	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PE3341	文件：280.2 Kbytes Page：17 Pages	2700MHzInteger-NPLLwithField-ProgrammableEEPROMFeatures ProductDescription ThePE3341isahighperformanceinteger-NPLLwithembeddedEEPROMcapableoffrequencysynthesisupto2700MHzwithaspeed-gradeoptionto3000MHz.TheEEPROMallowsdesignerstopermanentlystorecontrolbits,allowingeasyconfigurationofself-startingsynthesizers.Th	Peregrine Peregrine Semiconductor Corp.	Peregrine
PST3341	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25μAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25μAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美電機(jī)株式會(huì)社	MITSUMI
PST3341	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25μAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25μAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美電機(jī)株式會(huì)社	MITSUMI
PT3341	文件：1.27289 Mbytes Page：5 Pages	30WATTISOLATEDDC/DCCONVERTER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
PT3341	文件：218.89 Kbytes Page：11 Pages	1500VDCIsolation	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PT3341	文件：202.26 Kbytes Page：9 Pages	1500VDCIsolation	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PT3341A	文件：218.89 Kbytes Page：11 Pages	1500VDCIsolation	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PTN3341	文件：256.1 Kbytes Page：14 Pages	Highspeeddifferentiallinedriver Description ThePTN3341isadifferentiallinedriverthatimplementstheelectricalcharacteristicsofLow-VoltageDifferentialSignaling(LVDS)thatmeetsorexceedstherequirementsoftheANSITIA/EIA-644Standard.LVDSisusedtoachievehigherdataratesoncommonlyusedmedia.LVDSovercom	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PTN3341D	文件：256.1 Kbytes Page：14 Pages	Highspeeddifferentiallinedriver Description ThePTN3341isadifferentiallinedriverthatimplementstheelectricalcharacteristicsofLow-VoltageDifferentialSignaling(LVDS)thatmeetsorexceedstherequirementsoftheANSITIA/EIA-644Standard.LVDSisusedtoachievehigherdataratesoncommonlyusedmedia.LVDSovercom	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PTN3341DH	文件：256.1 Kbytes Page：14 Pages	Highspeeddifferentiallinedriver Description ThePTN3341isadifferentiallinedriverthatimplementstheelectricalcharacteristicsofLow-VoltageDifferentialSignaling(LVDS)thatmeetsorexceedstherequirementsoftheANSITIA/EIA-644Standard.LVDSisusedtoachievehigherdataratesoncommonlyusedmedia.LVDSovercom	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SSF3341	文件：1.07816 Mbytes Page：7 Pages	30VP-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF3341	文件：542.47 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SSF3341	文件：489.83 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSF3341L	文件：736.56 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF3341L	文件：387.77 Kbytes Page：7 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SSF3341L	文件：489.94 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSF3341UP	文件：1.79349 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits ?AdvancedMOSFETprocesstechnology ?SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ?Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ?Fastswitchingandreversebodyrecovery ?150℃operatingtemperature Description Itutilizesthelatest	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
TC3341	文件：177.59 Kbytes Page：3 Pages	3.3-3.7GHz2WMMIC DESCRIPTION TheTC3341isa2-stagePHEMTMMICpoweramplifier.Itisdesignedforuseinlowcostandhighvolume3.3-3.7GHzbandapplications.TheMMICismatchedto50?operation.Itprovidesatypicalgainof27dBandP1dBpowerof32.5dBm.Typicalbiasconditionis8Vat700mA.TheMMIC	TRANSCOM Transcom, Inc.	TRANSCOM
TLP3341	文件：174.56 Kbytes Page：7 Pages	OFF-stateoutputterminalvoltage-40V(min)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

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