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PCFC11N60W	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
PSM11N60CT	文件：1.0463 Mbytes Page：9 Pages	11A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PSM11N60CTF	文件：1.045589 Mbytes Page：9 Pages	11A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
SIHH11N60E	文件：197.47 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Fullylead(Pb)-freedevice ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Kelvinconnectionforreducedgatenoise ?Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N60E	文件：196.81 Kbytes Page：9 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH11N60EF	文件：212.7 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SPA11N60CFD	文件：260.899 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPA11N60CFD	文件：262.52 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA11N60CFD	文件：560.84 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA11N60CFD	文件：210.02 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60CFD	文件：331.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPI11N60CFD	文件：1.56068 Mbytes Page：12 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargePeriodicavalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60CFD	文件：1.03638 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPP11N60CFD	文件：338.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.44? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SPW11N60CFD	文件：152.55 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60CFD	文件：335.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤440m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
OM11N60SAZ
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-259AA

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更多OM11N60SAZ供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 13:41:00

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