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SZ559B	文件：28.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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SZ559B	文件：80.42 Kbytes Page：2 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
SZ559B	文件：147.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
TBC559	文件：57.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) PRIMARILYINTENDEDFORUSEINDRIVERSTAMPLIFIERS. AGEOFAUDIO THETBC559ANDTBC560ISLOWNOISETYPESTAGEOFAUDIOAMPLIFIERS. FEATURES .HighVCE0:-45V(TBC560) -25V(TBC559) .HighhFE=125-475	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TLP559	文件：254.02 Kbytes Page：5 Pages	DigitalLogicGroundIsolationLineReceiverMicroprocessorSystemInterfacesSwitchingPowerSupplyFeedbackControlTransistorInvertor DigitalLogicGroundIsolation LineReceiver MicroprocessorSystemInterfaces SwitchingPowerSupplyFeedbackControl TransistorInverter TheTOSHIBATLP559consistsofaGaA?Ashigh?outputlightemittingdiodeandahighspeeddetectorofonechipphotodiode?transistor.Thisunitis8?le	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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