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P08IE120F4中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

P08IE120F4
廠商型號(hào)

P08IE120F4

功能描述

Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1200 V - 8A - 0.10 ohm

文件大小

278.49 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-1 18:25:00

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P08IE120F4規(guī)格書詳情

Description

The STP08IE120F4 is manufactured in Monolithic ESBT Technology, aimed to provide best performances in high frequency / high voltage applications.

It is designed for use in Gate Driven based topologies.

General features

■ High voltage / high current Cascode configuration

■ Low equivalent on resistance

■ very fast-switch up to 150 kHz

■ Squared RBSOA up to 1200V

■ Very low Ciss driven by RG = 47?

■ Very low turn-off cross over time

Applications

■ Aux SMPS for three phase mains

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    P08IE120F4

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1200 V - 8A - 0.10 ohm

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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